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凯8娱乐姑苏纳维徐科:未来5年,氮化镓衬底引领高端器材开展潮流
来源:http://www.028cxtx.com 编辑:k8.com 2018-08-11 12:29

  姑苏纳维徐科:未来5年,氮化镓衬底引领高端器材开展潮流

  在日美独占LED芯片核心技能的格式下,我国LED企业怎么打破格式,完结技能攻坚,促进LED开展显得尤为重要。现在, LED衬底类别包含蓝宝石、碳化硅、硅以及被称为第三代半导体资料的氮化镓。2007年姑苏纳维科技有限公司建立,成为我国首家具有氮化镓晶片出产能力的公司。自此,纳维走上了将氮化镓晶片完成产业化的探究之路。

  与传统衬底资料比较,氮化镓具有禁带宽度大、击穿电压高、凯8娱乐。热导率大、电子饱满漂移速度高、抗辐射能力强和杰出的化学稳定性等优胜特性,是迄今理论上电光、光电变换功率最高的资料系统。时至今日,氮化镓衬底相对于蓝宝石衬底的功能优势清楚明了,最大难题在于价格过高。“除了价格高,其它都是长处。” 姑苏纳维总经理徐科自傲而又略显无法的对记者提到。

  带着对氮化镓开展现状、价格走势及未来谁将主导LED衬底商场的一系列疑问,我国记者专访了姑苏纳维总经理徐科,与徐博士就LED衬底商场相关问题进行了深入探讨。

  

  

姑苏纳维总经理徐科博士

  相对LED蓝宝石或碳化硅衬底商场老牌选手,纳维氮化镓于2007年才进军LED衬底商场,但优势显着。现在,纳维产品包含氮化镓厚膜晶片、氮化镓半绝缘晶片以及氮化镓自支撑晶片三个系列,近期针对紫外LED推出氮化铝衬底。各个系列又以技能参数不同而进行了细分。

  厚膜的衬底产品方面:产品有10-50微米的不同标准,常用的是20-30微米。位错密度在107cm-3量级,依据不同的技能参数可分为两种即n型掺杂与半绝缘。n型掺杂首要运用于LED等光电器材,半绝缘首要运用于电力电子、微波器材上。

  自支撑氮化镓(GaN)衬底方面:位错密度在105cm-3量级,依据不同的技能参数分为三种,即n型掺杂、半绝缘与非掺杂。n型氮化镓,首要运用于LED、激光器方面;半绝缘则运用于高功率微波器材或大电流高电压的开关上。非掺杂即高纯度氮化镓,在探测器上的使用较为广泛,要求资料的电子浓度越低越好。纳维非掺杂氮化镓产品,X射线(002)半峰宽为50秒、(102)半峰宽为80秒左右,块体资料的电子迁移率超越1500cmV-1s-1,处于国际前列水平。纳维是国际上可以出产出售氮化镓自支撑晶片的少量几个单位之一。

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